30 лет мы работаем для Вас: доставляем радиодетали, радиоконструкторы и наборы

Методы оплаты Методы оплаты
Покупайте товар со скидкой, выбирая эти формы оплаты!
Прайс-листы DESSY.RU для скачивания
Партнерская программа
Наши акции
 
Архив новостей Архив новостей
Новости Новости
  • 11/11/22 20:33

Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор-тестер M2-ESR02Pro-002 Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор-тестер M2-ESR02Pro-002
Реинкарнация в корпусе лучшего, на наш взгляд, транзистор-тестера М2

Подробнее
  • 31/12/20 23:55

Бормашина ROYCE RDG-400 Бормашина ROYCE RDG-400
Аналог российских бормашин Профиль-хх

Подробнее
  • 11/09/18 15:45

Частотомер FC50 встраиваемый от 1 Гц до 50 МГц Частотомер FC50 встраиваемый от 1 Гц до 50 МГц
Дискретность измерения частоты 1 Гц, в диапазоне 1 Гц... 50 МГц.

Подробнее
  • 25/12/17 12:00

 Конструктор Практические занятия по робототехнике. Конструктор Практические занятия по робототехнике.
Конструктор рекомендуется для изучения основ робототехники в школах, кружках робототехники, дома на примере полноприводной платформы.

Подробнее
Распечатать
Код товара: EK49417    

MOSFET транзистор IRF630NS

Бренд: IR
Нам очень жаль, но ТОВАРА НЕТ В НАЛИЧИИ! Когда он появится - мы автоматически Вас известим об этом, стоит только прописать свой email в системе уведомления, нажав на кнопку Уведомить о товаре. Уведомить о появлении товара

Уведомление о появлении товара на складе

При появлении на нашем складе данного товара, на указанный вами адрес будет выслано уведомление

MOSFET транзистор IRF630NS

MOSFET, N TO-263; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:575pF; Charge, Gate N-channel:35nC; Current, Iar:9.3A; Current, Idm Pulse:37A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:8.2mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:94mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF630NS; Power Dissipation:82W; Power Dissipation, on 1 Sq. PCB:3.8W; Power, Pd:82W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.3ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:175°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.83°C/W; Time, Fall:15ns; Time, Rise:14ns; Time, trr Typ:117ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs Rds N Channel:10V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V; Width, External:10.16mm

------------------
УЛ49417:148
Сопутствующие покупки... Купившие этот товар также заказали:
 ECAP 2.2/100V 0511 JAM
ECAP 2.2/100V 0511 JAM

 ECAP 10/63V 0511 SAM
ECAP 10/63V 0511 SAM

  SMECAP 22/100V 0812 NOVA
SMECAP 22/100V 0812 NOVA

 STXECAP 4.7/100V 0511 105C SAM
STXECAP 4.7/100V 0511 105C SAM

SSECAP 4.7/50V 0407 105C
SSECAP 4.7/50V 0407 105C

ECAP 1000/16V 1016 105C PBF
ECAP 1000/16V 1016 105C PBF

Добавить отзыв
 Написание отзыва требует предварительной регистрации на сайте.