Каталог
 |
|
|
Тип корпуса : SO-8
Схема сборки : DUAL P
Максимальное рабочее напряжение В: 20
Тип 1-го транзистора : P
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 2.3
Заряд затвора нК: 9.3
Рассеиваемая мощность Вт: 2
Тип 2-го транзистора : P
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 2.3
Заряд затвора нК: 9.3
Рассеиваемая мощность Вт: 2
Напряжение затвор-исток В: 12
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel
MOSFET силовой модуль IRF7104. Описание в формате PDF------------------
УЛ14244:119
