MOSFET транзистор: N-канал, 100 В
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 100
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 35мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 35мОм @ 10В
Заряд затвора нК: 14
Рассеиваемая мощность Вт: 42
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


------------------
УЛ291669:239