Каталог
 |
|
|
Тип корпуса : SO-8
Схема сборки : DUAL N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Тип 1-го транзистора : N
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 4.7
Заряд затвора нК: 24
Рассеиваемая мощность Вт: 2
Тип 2-го транзистора : N
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 4.7
Заряд затвора нК: 24
Рассеиваемая мощность Вт: 2
Напряжение затвор-исток В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
MOSFET транзистор IRF7341. Описание в формате PDF------------------
УЛ24925:39
