|
|
Тип корпуса : TSSOP-8
Схема сборки : DUAL N
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Тип 1-го транзистора : N
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 4.6
Заряд затвора нК: 9
Рассеиваемая мощность Вт: 1
Тип 2-го транзистора : N
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 4.6
Заряд затвора нК: 9
Рассеиваемая мощность Вт: 1
Напряжение затвор-исток В: 12
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
MOSFET силовой модуль IRF7752. Описание в формате PDF
------------------
УЛ26773:100