Диод Silicon Carbide Schottky: 600 В, 1 x 4 А
Тип корпуса : TO-252-2
Тип диода : Silicon Carbide Schottky
Максимальное обратное напряжение В: 600
Постоянный прямой ток А: 1 x 4
Падение напряжения на переходе В: 1.7
Количество диодов в корпусе : 1
Емкость перехода пФ: 251
Рабочая температура °C: -55...175
Примечания : Z-Rec Silicon Carbide Schottky Diode


Логическая ИС C3D04060E. Описание в формате PDF

------------------
УЛ441214:239