Индуктивность: SMD, 0.22 мкГн, 38.5 А
Номинальная индуктивность Гн: 0.22 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 65
Ток перегрева А: 38.5
Максимальное омическое сопротивление мОм: 1.3
Типовое омическое сопротивление мОм: 1.1
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 13.2x12.9x3.5
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor


Дроссель IHLP5050CEERR22M01. Описание в формате PDF

------------------
УЛ543982:246