Номинальная индуктивность Гн: 0.68 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 11.5
Ток перегрева А: 18
Максимальное омическое сопротивление мОм: 4.5
Типовое омическое сопротивление мОм: 4.2
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 6.9x6.5x5.0
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor
Дроссель IHLP2525EZERR68M01. Описание в формате PDF
------------------
УЛ578837:202