MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 17 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 110мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 65мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 17
Заряд затвора нК: 10
Рассеиваемая мощность Вт: 38
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 16
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRLR024N. Описание в формате PDF

------------------
УЛ11510:116

Купившие этот товар также заказали:

Дроссель ДПМ 0,4-20 мкГн

MC34063ADR2G

Микросхема LM358N

Тиристор (симистор) BTA140-600 (25A, 600v)