|
|
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 4.7мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 4.7мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 175
Заряд затвора нК: 150
Рассеиваемая мощность Вт: 330
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRF2805. Описание в формате PDF
------------------
УЛ37169:269