IGBT модуль
Тип корпуса : SEMITRANS3
Технология : Standard
Напряжение коллектор-эмитер В: 1200
Ток коллектора А: 200А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 150
Vкэ откр. В: 2.50В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 41.00мДж @ 125°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.09
Цепь : GAR
Семейство : SEMiTRANS


------------------
УЛ307625:7578