MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 175 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 4.7мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 4.7мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 175
Заряд затвора нК: 150
Рассеиваемая мощность Вт: 330
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRF2805. Описание в формате PDF

------------------
ТЬЛ27646:122

Купившие этот товар также заказали:

Микросхема DM311

Микросхема DL0165RN (DM0165)

Линейный регулятор LM317T

Диод выпрямительный FQP4N90C