|
|
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 5.5мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 4.5мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 140
Заряд затвора нК: 38
Рассеиваемая мощность Вт: 140
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRLR7833. Описание в формате PDF
------------------
УЛ43611:167