Каталог
Код товара: EK8839
Корпус:
Юридическим лицам счёта выставляются от 500 рублей по запросу на наш e-mail. Присылайте ваши реквизиты, наши коды товаров и их количества. Стоимость доставки по вашей просьбе можем включить в стоимость товаров. Работаем без НДС.
Транзисторы КТ809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: аА0.365.003 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ809А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом
Транзистор КТ809А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n
Бренд: ИСКРАКорпус:
Юридическим лицам счёта выставляются от 500 рублей по запросу на наш e-mail. Присылайте ваши реквизиты, наши коды товаров и их количества. Стоимость доставки по вашей просьбе можем включить в стоимость товаров. Работаем без НДС.
 |
|
|
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: аА0.365.003 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ809А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т809А, КТ809А:
|
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С |
TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max |
РК max (РК. Т. max) |
h21Э |
UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т809А | n-p-n | 3 | 5 | 400 | - | 4 | 40 | 15…100 | <1,5 | - | 50 | >5,1 | - | <270 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ809А | n-p-n | 3 | 5 | 400 | - | 4 | 40 | 15…100 | <1,5 | - | 50 | >5,1 | - | <270 | - | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
------------------
УЛ8839:75
