MOSFET транзистор: N-канал, 400 В, 25 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 400
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 200мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 200мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 25
Заряд затвора нК: 210
Рассеиваемая мощность Вт: 300
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRF360. Описание в формате PDF

------------------
УЛ146700:1831