MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 9.7 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 100
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 200мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 200мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 9.7
Заряд затвора нК: 16.7
Рассеиваемая мощность Вт: 48
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRF520N. Описание в формате PDF

------------------
УЛ21728:131

Купившие этот товар также заказали:

КВС111

Каркас Б22

Ферритовое кольцо К20*12*6 М2000НМ

Канифоль сосновая. Россыпь 100 грамм

КВ127А