IGBT модуль
Тип корпуса : SEMIX13
Технология : SPT
Напряжение коллектор-эмитер В: 1200
Ток коллектора А: 154А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 75
Vкэ откр. В: 1.90В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 15.80мДж @ 125°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.19
Цепь : GD
Семейство : SEMiX
Рабочая температура °C: -40...150
Температура хранения °C: -40...125


------------------
УЛ247548:9018