MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 190 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 100
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 4.1мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 3.9мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 190
Заряд затвора нК: 93
Рассеиваемая мощность Вт: 370
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 16
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRLS4030-7PPBF. Описание в формате PDF

------------------
УЛ328611:516