IGBT модуль
Тип корпуса : SEMIX1S
Технология : IGBT 4 (Trench)
Напряжение коллектор-эмитер В: 1200
Ток коллектора А: 232А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 150
Vкэ откр. В: 1.80В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 35.00мДж @ 125°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.19
Цепь : GB
Семейство : SEMiX


------------------
УЛ351404:9122