Сборка MOSFET транзисторов
Тип корпуса : SO-8
Схема сборки : 1N/1P
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Тип 1-го транзистора : N
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 5.8
Заряд затвора нК: 16.7
Рассеиваемая мощность Вт: 2.5
Тип 2-го транзистора : P
Ток стока (при Ткорп=25?С) А: 4.3
Заряд затвора нК: 16.7
Рассеиваемая мощность Вт: 2.5
Напряжение затвор-исток В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Dual N and P-Channel


------------------
УЛ507601:71