MOSFET транзистор: N-канал, 20 В
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 20
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 2.6мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 2мОм @ 10В
Заряд затвора нК: 46
Рассеиваемая мощность Вт: 89
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


------------------
УЛ316606:99