MOSFET транзистор: N with Schottky-канал, 25 В, 100 А
Тип канала : N with Schottky
Максимальное рабочее напряжение В: 25
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 1.75мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 1.15мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 100
Заряд затвора нК: 52
Рассеиваемая мощность Вт: 250
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Рабочая температура °C: -55...150
Температура хранения °C: -55...150
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


------------------
УЛ566274:91