Индуктивность: SMD, 0.1 мкГн, 32.5 А
Номинальная индуктивность Гн: 0.1 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 60
Ток перегрева А: 32.5
Максимальное омическое сопротивление мОм: 1.7
Типовое омическое сопротивление мОм: 1.5
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 6.9x6.5x3.0
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor


------------------
УЛ578663:108