Номинальная индуктивность Гн: 1 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 40
Ток перегрева А: 24
Максимальное омическое сопротивление мОм: 3.5
Типовое омическое сопротивление мОм: 3.3
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 13.2x12.9x3.5
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor
Дроссель IHLP5050CEER1R0M01. Описание в формате PDF
------------------
УЛ578817:110