MOSFET транзистор: DUAL N-канал, 20 В, 4.5 А
Тип канала : DUAL N
Максимальное рабочее напряжение В: 20
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 62мОм @ 2.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 45мОм @ 4.5В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 4.5
Заряд затвора нК: 3.1
Рассеиваемая мощность Вт: 1.5
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 12
Рабочая температура °C: -55...150
Температура хранения °C: -55...150
Примечания : 20V Dual N-Channel Logic Level HEXFET Power MOSFET in a PQFN 2mm x 2mm Lead Free


------------------
УЛ606333:76