Диод Silicon Carbide Schottky: 600 В, 1 x 3 А
Тип корпуса : TO-252-2
Тип диода : Silicon Carbide Schottky
Максимальное обратное напряжение В: 600
Постоянный прямой ток А: 1 x 3
Падение напряжения на переходе В: 1.7
Количество диодов в корпусе : 1
Емкость перехода пФ: 155
Рабочая температура °C: -55...175
Примечания : Z-Rec Silicon Carbide Schottky Diode


------------------
УЛ613694:390