Номинальная индуктивность Гн: 5.6 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 7
Ток перегрева А: 6
Максимальное омическое сопротивление мОм: 34.4
Типовое омическое сопротивление мОм: 32.7
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 6.9x6.5x5.0
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor
Дроссель IHLP2525EZER5R6M01. Описание в формате PDF
------------------
УЛ578842:375