IGBT модуль
Тип корпуса : SEMITRANS3
Технология : Fast IGBT 4
Напряжение коллектор-эмитер В: 1200
Ток коллектора А: 618А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 400
Vкэ откр. В: 1.80В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 75.00мДж @ 150°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.072
Цепь : GAR
Семейство : SEMiTRANS


------------------
УЛ317405:14013