Нам очень жаль, но ТОВАРА НЕТ В НАЛИЧИИ! Когда он появится - мы автоматически Вас известим об этом,
стоит только прописать свой email в системе уведомления, нажав на кнопку Уведомить о товаре. noindex>
Уведомление о появлении товара на складе
При появлении на нашем складе данного товара, на указанный вами адрес будет выслано уведомление
MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 59 АТип канала : NМаксимальное рабочее напряжение В: 40Rdson макс. при Vg 1 мОм: 18мОм @ 10ВRdson макс. при Vg 2 мОм: 18мОм @ 10ВТок стока (при Ткорп=25°С) А: 59Заряд затвора нК: 33.3Рассеиваемая мощность Вт: 130Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 10Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRLBD59N04E. Описание в формате PDF Деталь близка по своим параметрам и/или аналогична IRLBD59N04E