Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 5.5мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 3.4мОм @ 10В
Заряд затвора нК: 86
Рассеиваемая мощность Вт: 42
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 12
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRF6603. Описание в формате PDF
------------------
УЛ32045:144