IGBT модуль
Тип корпуса : SEMITRANS4
Технология : Standard
Напряжение коллектор-эмитер В: 1700
Ток коллектора А: 440А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 300
Vкэ откр. В: 3.00В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 280.00мДж @ 150°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.05
Цепь : GA
Семейство : SEMiTRANS


------------------
УЛ206045:10899