|
|
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 8мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 8мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 110
Заряд затвора нК: 146
Рассеиваемая мощность Вт: 200
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Рабочая температура °C: -55...175
Температура хранения °C: -55...175
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRF3205STRRPBF. Описание в формате PDF
------------------
УЛ507265:114