IGBT модуль
Тип корпуса : SEMITOP 3
Технология : Hyperfast
Напряжение коллектор-эмитер В: 600
Ток коллектора А: 62А @ 25°C
Vкэ откр. В: 2.80В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 3.40мДж @ 125°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.85
Цепь : GARL
Семейство : SEMITOP


------------------
УЛ338301:1422