MOSFET транзистор: N-канал, 30 В, 100 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 3.5мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 2.1мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 100
Заряд затвора нК: 29
Рассеиваемая мощность Вт: 100
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Рабочая температура °C: -55...150
Температура хранения °C: -55...150
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


------------------
УЛ566281:113