|
|
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 110мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 65мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 17
Заряд затвора нК: 10
Рассеиваемая мощность Вт: 38
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 16
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRLR024N. Описание в формате PDF
------------------
УЛ11510:116
Купившие этот товар также заказали: |
Микросхема LM358N |
Тиристор (симистор) BTA140-600 (25A, 600v) |
Дроссель ДПМ 0,4-20 мкГн |
MC34063ADR2G |