MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 32 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 100
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 44мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 44мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 32
Заряд затвора нК: 48
Рассеиваемая мощность Вт: 130
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel


MOSFET транзистор IRFR3411. Описание в формате PDF

------------------
УЛ43169:103