IGBT модуль
Тип корпуса : SEMIX3S
Технология : Trench
Напряжение коллектор-эмитер В: 1700
Ток коллектора А: 444А @ 25°C
Номинальный ток коллектора А: 300
Vкэ откр. В: 2.00В @ 25°C
(Eon+Eoff) : 340.00мДж @ 125°C
Rth(j-c) (per IGBT) K/W: 0.071
Цепь : GB
Семейство : SEMiX


------------------
УЛ316570:13007