Каталог
Номинальная индуктивность Гн: 1 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 15
Ток перегрева А: 13
Максимальное омическое сопротивление мОм: 6.5
Типовое омическое сопротивление мОм: 5.6
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 6.9x6.5x5.0
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor
Дроссель IHLP2525EZER1R0M01. Описание в формате PDF------------------
УЛ578838:105