MOSFET транзистор: N-канал, 1200 В, 24 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 1200
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 160мОм @ 20В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 160мОм @ 20В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 24
Заряд затвора нК: 47
Рассеиваемая мощность Вт: 152
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Рабочая температура °C: -55...125
Температура хранения °C: -55...125
Примечания : Silicon Carbide Power Mosfet


MOSFET транзистор CMF10120D. Описание в формате PDF

------------------
УЛ703879:3319