32 год мы работаем для разработчиков, изготовителей и ремонтников электроники
Практические занятия робототехника. Конструктор ROBOT BIN CLASSIC

Методы оплаты Методы оплаты
Покупайте товар со скидкой, выбирая эти формы оплаты!
Партнерская программа
Наши акции
 
Архив новостей Архив новостей
Новости Новости!


Распечатать

Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N

Код товара: CTTL13875
Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N
Нам очень жаль, но ТОВАРА НЕТ В НАЛИЧИИ! Когда он появится - мы автоматически Вас известим об этом, стоит только прописать свой email в системе уведомления, нажав на текст Уведомить о товаре.

Уведомление о появлении товара на складе

При появлении на нашем складе данного товара, на указанный вами адрес будет выслано уведомление

Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N

Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N  Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N  Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N  Модуль драйвера управления мощной нагрузкой на транзисторе IRFR120N 

Описание

Модуль силового ключа на базе MOSFET-транзистора FR120N для управления низковольтными цепями электроприборов/радиосхем с напряжением до 100В постоянного тока. Совместим с любыми контроллерами AVR, ARM, PIC или иными аналого-цифровыми узлами управления с напряжением логических сигналов +3.3~5В. Поддерживается широтно-импульсная модуляция с частотой до 80кГц. Входной и выходной контуры модуля гальванически развязаны через оптопару PC817. Модуль поставляется с двумя нераспаянным винтовыми клеммами на 2 и 3 контакта.

Характеристики


  • Модель: HW-532 / аналог;
  • Входное напряжение (ШИМ): +3.3 ~ 5В постоянного тока DC;
  • Входной ток: до 50мА;
  • Силовой транзистор-ключ: IRFR120N MOSFET International Rectifier;
  • Напряжение питания нагрузки, макс.: 100В;
  • Продолжительный ток: 9.4A@10В;
  • Кратковременный импульсный (пиковый) ток: 38А (см. спецификацию);
  • Частота ШИМ-модуляции входного сигнала, макс: 80кГц;
  • Индикация: рабочее питание;
  • Рабочая температура: -30°C ~ +85?;
  • Размер: 34 x 17 x 12мм;

  • Назначение выводов


    Входная группа контактов

  • PWM — плюсовая линия управления (импульсный сигнал или ШИМ);
  • GND — минусовая линия управления, общий;
  • Выходная группа контактов

  • "+" — плюсовая линия напряжения источника питания и силовой нагрузки;
  • LOAD — минусовая линия напряжения силовой нагрузки;
  • "-" — минусовая линия напряжения источника питания;

  • Обратите внимание!
    Не допускается перегрев силового транзистора FR120N свыше +100°C. Рекомендуется использование дополнительного охлаждения с целью сохранения его рабочей температуры не более 80°C.

     


    Документация


    1. Спецификация IRFR120N MOSFET International Rectifier (англ., PDF);

    ------------------
    СЕЕД13875:80
    Добавить отзыв
     Написание отзыва требует предварительной регистрации на сайте.